Транзистор NVJS3151P

NVJS3151P - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-363

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.625 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 8.6 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 1.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор NVJS3151P можно заменить на:

Нет элементов для замены