Транзистор NVMFS5113PL

NVMFS5113PL - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.8 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 37 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 505 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор NVMFS5113PL можно заменить на:

Нет элементов для замены