Транзистор NVMFS5833N

NVMFS5833N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SO-8FL

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.7 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 32.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 19.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор NVMFS5833N можно заменить на:

Нет элементов для замены