Транзистор NVTFS5116PL
NVTFS5116PL - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WDFN8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 21 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NVTFS5116PL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM6015B |
SMD |
P |
86.8 |
60 |
20 |
2.5 |
45 |
0.025 |
25 |
23.6 |
224 |
150 |
TO-263 |
| QM6015D |
SMD |
P |
52.1 |
60 |
20 |
2.5 |
35 |
0.025 |
25 |
23.6 |
224 |
150 |
TO-252 |
| ST36N06 |
PTH |
P |
62.5 |
60 |
20 |
3 |
36 |
0.037 |
20 |
25 |
160 |
175 |
TO-220 |