Справочник электронных компонентов

Транзистор P0806AT

P0806AT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор P0806AT можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB482 SMD N 333 80 25 - 105 0.0069 81 18 458 175 TO-263
AOB482L SMD N 333 80 25 3.7 105 0.0069 66.8 18 458 175 TO-263
AOT482L PTH N 333 80 25 3.7 105 0.0072 66.8 18 458 175 TO-220
AOW482 PTH N 333 80 25 3.7 105 0.0072 66.8 18 458 175 TO-262
CS64N90 PTH N 139 85 25 4 92 0.00745 106 18 442 175 TO-220
CS64N90B SMD N 139 85 25 4 92 0.00745 106 18 442 175 TO-263
CS64N90F PTH N 139 85 25 4 92 0.00745 106 18 442 175 TO-220F
RU60100R PTH N 188 60 25 4 130 0.006 - 19 470 175 TO-220
RU60101R PTH N 150 60 25 4 100 0.008 - 26 285 175 TO-220
RU6075R PTH N 125 60 25 4 90 0.007 - 36 420 175 TO-220
RU6099R PTH N 150 60 25 4 120 0.007 - 17 430 175 TO-220
RU6099S SMD N 150 60 25 4 120 0.007 - 17 430 175 TO-263
RU65120R PTH N 188 65 25 4 120 0.0065 - 46 450 175 TO-220
RU6881R PTH N 120 68 25 4 86 0.008 - 16 340 175 TO-220
RU6888S SMD N 120 68 25 4 88 0.008 - 15 340 175 TO-263
RU70100R PTH N 188 70 25 4 100 0.0065 - 18 470 175 TO-220
RU7088A PTH N 125 65 25 4 88 0.007 - 37 420 175 TO-220
RU75110R PTH N 188 75 25 4 110 0.007 - 46 450 175 TO-220
RU75110S SMD N 188 75 25 4 110 0.007 - 46 450 175 TO-263
RU80100R PTH N 188 80 25 4 100 0.0075 - 18 470 175 TO-220
RU80100S SMD N 188 80 25 4 100 0.0075 - 18 470 175 TO-263
SM6002NAF PTH N 113 60 25 - 82 0.008 - 10 385 150 TO-220
SM7509NSF PTH N 131 75 25 - 100 0.0072 66 13 425 150 TO-220
SM7509NSG SMD N 131 75 25 - 100 0.0072 - 13 425 150 TO-263
SM7509NSKP SMD N 155 75 25 - 100 0.0064 65 14 395 150 DFN5X6-8
SM7510NSF PTH N 131 75 25 - 100 0.0065 - 10 390 150 TO-220
SM7575NSF PTH N 131 75 25 - 100 0.0072 66 13 425 150 TO-220