Справочник электронных компонентов

Транзистор P1003EK

P1003EK - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: PDFN5X6P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 62.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 44 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 566 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор P1003EK можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOD423	SMD	P	90	30	25	3.5	70	0.008	-	23	550	175	TO-252
AOI423	PTH	P	90	30	25	3.5	70	0.0085	-	23	550	175	TO-251A
AOL1401	SMD	P	100	38	25	3.5	85	0.01	61.2	17	560	175	UltraSO-8
AON7405	SMD	P	83	30	25	2.8	50	0.0062	-	10	550	150	DFN3.3X3.3
AON7409	SMD	P	96	30	25	2.7	32	0.0085	-	12	474	150	DFN3X3
AOY423	PTH	P	90	30	25	3.5	70	0.0085	-	23	550	175	TO-251B
PD537BA	SMD	P	73	30	25	-	71	0.008	-	20	374	150	TO-252
SM4027PSU	SMD	P	83	40	25	-	74	0.0094	-	14	426	150	TO-252
SM4303PSU	SMD	P	62.5	30	25	-	68	0.009	-	12	460	150	TO-252
SM4303PSUC	PTH	P	62.5	30	25	-	68	0.009	-	12	460	150	TO-251S