Транзистор P1006BIS
P1006BIS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 96 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 66 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 31 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 215 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P1006BIS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18534KCS |
PTH |
N |
107 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0095 |
9.3 |
4.8 |
164 |
175 |
TO-220 |
| HY1607P |
PTH |
N |
160 |
68 |
25 |
4 |
70 |
0.007 |
- |
13 |
190 |
175 |
TO-220 |
| P1006BD |
SMD |
N |
96 |
60 |
20 |
- |
66 |
0.01 |
- |
31 |
215 |
150 |
TO-252 |
| SSF6010 |
PTH |
N |
144 |
60 |
20 |
- |
75 |
0.01 |
45 |
14.2 |
190 |
175 |
TO-220 |
| SSF6010A |
SMD |
N |
144 |
60 |
20 |
- |
75 |
0.01 |
45 |
14.2 |
190 |
175 |
D2PAK |