Транзистор P1203EVG
P1203EVG - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 449 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P1203EVG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM1203EVJGP |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
12 |
0.012 |
48 |
16 |
449 |
150 |
SO-8 |
| MDS3603URH |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
12 |
0.0085 |
- |
13 |
445 |
150 |
SOIC-8 |
| MDU3603RH |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
30 |
0.0075 |
- |
13 |
445 |
150 |
PowerDFN56 |
| MDV3604URH |
SMD |
P |
3.4 |
30 |
25 |
3 |
12.6 |
0.01 |
- |
12.9 |
338 |
150 |
PDFN33 |