Справочник электронных компонентов

Транзистор P1504EDG

P1504EDG - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор P1504EDG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP9560GH-HF	SMD	P	54.3	40	20	-	52	0.012	42	56	375	150	TO-252
AP9560GP-HF	PTH	P	54.3	40	20	-	51	0.0125	42	56	375	150	TO-220
AP9560GS-HF	SMD	P	54.3	40	20	-	51	0.0125	42	56	375	150	TO-263
MTB12P06J3	SMD	P	125	60	20	-	70	0.0102	126	30	361	175	TO-252
MTB15P04J3	SMD	P	69	40	20	-	50	0.0097	40	15	325	150	TO-252
PD533BA	SMD	P	65	40	25	-	51	0.014	-	20	313	150	TO-252
STD46P4LLF6	SMD	P	70	40	20	2.5	46	0.015	34	60.6	344	175	DPAK