Транзистор P1603BD
P1603BD - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 159 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P1603BD можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM60N03-09D |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
1 |
61 |
0.009 |
9.5 |
6 |
153 |
175 |
TO-252 |
| AP0904GH-HF |
SMD |
N |
44.6 |
40 |
20 |
- |
51 |
0.01 |
- |
6.5 |
160 |
150 |
TO-252 |
| AP0904GJ-HF |
PTH |
N |
44.6 |
40 |
20 |
- |
51 |
0.01 |
- |
6.5 |
160 |
150 |
TO-251 |
| AP0904GJB-HF |
PTH |
N |
44.6 |
40 |
20 |
- |
51 |
0.01 |
- |
6.5 |
160 |
150 |
TO-251S |
| CSD18537NKCS |
PTH |
N |
94 |
60 |
20 |
3.5 |
50 |
0.014 |
14 |
3.2 |
136 |
175 |
TO-220 |
| MTB6D0N03AH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| MTB6D0N03ATH8 |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
56 |
0.0068 |
- |
4 |
153 |
150 |
DFN5X6 |
| STN4110 |
SMD и PTH |
N |
63 |
60 |
20 |
3 |
40 |
0.012 |
29 |
6.5 |
105 |
175 |
TO-251,TO-252 |