Справочник электронных компонентов

Транзистор P1604ED

P1604ED - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 43 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 43 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 480 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор P1604ED можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM50P04-16PCFM	PTH	P	60	40	20	1	50	0.016	28	10	256	175	TO-220CFM
MTB12P06J3	SMD	P	125	60	20	-	70	0.0102	126	30	361	175	TO-252
MTB15P04J3	SMD	P	69	40	20	-	50	0.0097	40	15	325	150	TO-252
P1604ET	PTH	P	104	40	20	-	65	0.016	-	43	334	150	TO-220
PD485BA	SMD	P	50	40	20	-	43	0.015	-	31	308	150	TO-252
PD533BA	SMD	P	65	40	25	-	51	0.014	-	20	313	150	TO-252
SM4027PSU	SMD	P	83	40	25	-	74	0.0094	-	14	426	150	TO-252
SM4401PSKP	SMD	P	52	40	25	-	55	0.0094	-	14	426	150	DFN5X6-8
SQM50P06-15L	SMD	P	150	60	20	2.5	50	0.015	-	10	480	175	TO-263
SUD50P04-13L	SMD	P	93.7	40	20	3	60	0.013	63	18	440	175	TO-252
UTT50P04	SMD	P	93.7	40	20	-	60	0.0105	-	18	440	175	TO-252