Транзистор P2003EEA
P2003EEA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PDFN3X3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 296 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P2003EEA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6435 |
SMD |
P |
31 |
30 |
25 |
3 |
34 |
0.017 |
- |
8 |
240 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7403 |
SMD |
P |
25 |
30 |
25 |
3 |
29 |
0.018 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
DFN3X3 |
| MTP4835V8 |
SMD |
P |
28 |
30 |
25 |
- |
33 |
0.016 |
- |
6 |
138 |
150 |
DFN3X3 |
| PZ2003EEA |
SMD |
P |
25 |
30 |
25 |
- |
28 |
0.02 |
- |
6 |
238 |
150 |
PDFN3X3P |