Транзистор P2003EEAA
P2003EEAA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PDFN3X3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 212 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P2003EEAA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MTP4835V8 |
SMD |
P |
28 |
30 |
25 |
- |
33 |
0.016 |
- |
6 |
138 |
150 |
DFN3X3 |
| QM3003D |
SMD |
P |
34.7 |
30 |
20 |
2.5 |
35 |
0.02 |
12.5 |
11.2 |
194 |
150 |
TO-252 |
| SM3020PSU |
SMD |
P |
50 |
30 |
25 |
- |
43 |
0.018 |
- |
12 |
210 |
150 |
TO-252 |
| SM4307PSKP |
SMD |
P |
31 |
30 |
25 |
- |
34 |
0.018 |
- |
12 |
210 |
150 |
DFN5X6-8 |