Справочник электронных компонентов

Транзистор P5010AS

P5010AS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 251 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 201 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор P5010AS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPW65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247
IPZ65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247-4
IRFB4615PBF	PTH	N	144	150	20	5	35	0.039	26	35	155	175	TO-220AB
TK62J60W	PTH	N	400	600	30	3.7	61.8	0.04	180	58	140	150	TO-3P
TK62J60W5	PTH	N	400	600	30	4.5	61.8	0.045	205	190	140	150	TO-3P
TK62N60W	PTH	N	400	600	30	3.7	61.8	0.04	180	58	140	150	TO-247
TK62N60W5	PTH	N	400	600	30	4.5	61.8	0.045	205	190	140	150	TO-247
TK62N60X	PTH	N	400	600	30	3.5	61.8	0.04	135	40	140	150	TO-247