Справочник электронных компонентов

Транзистор P5103EMG

P5103EMG - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.051 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 81 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор P5103EMG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP9435GG-HF	SMD	P	1.25	30	20	-	4.2	0.05	-	7.7	80	150	SOT-89
AP9435GK-HF	SMD	P	2.7	30	20	-	6	0.05	-	7.7	80	150	SOT-223
AP9435GM	SMD	P	2.5	30	20	3	5.3	0.05	-	7.7	80	150	SO-8
AP9435GM-HF	SMD	P	2.5	30	20	-	5.3	0.05	-	7.7	80	150	SO-8
MTP4411AQ8	SMD	P	2.5	30	20	-	5.3	0.035	-	10	80	150	SOP-8
MTP4411Q8	SMD	P	2.5	30	20	-	5.3	0.035	-	10	80	150	SOP-8
MTP452M3	SMD	P	2	30	20	-	5.3	0.05	-	3	55	150	SOT-89
MTP9435Q8	SMD	P	2.5	30	20	-	5.6	0.05	-	5	68	150	SOP-8
SMG2343	SMD	P	1.38	30	20	-	4.1	0.045	-	12.2	75	150	SC-59