Транзистор P5506BDG
P5506BDG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P5506BDG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD2544 |
SMD |
N |
75 |
150 |
20 |
2.7 |
23 |
0.054 |
- |
3 |
78 |
175 |
TO-252 |
| AOD2916 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
2.7 |
25 |
0.034 |
- |
3.5 |
68 |
175 |
TO-252 |
| MTN540J3 |
SMD |
N |
56 |
100 |
20 |
- |
25 |
0.048 |
- |
5 |
79.3 |
150 |
TO-252 |