Справочник электронных компонентов

Транзистор P8010BD

P8010BD - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор P8010BD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB256L SMD N 83 150 20 2.8 19 0.085 - 5 61.5 175 TO-263
AOD256 SMD N 83 150 20 2.8 19 0.085 - 5 61.5 175 TO-252
IPB65R065C7 SMD N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-263
IPL65R070C7 SMD N 169 650 20 4 28 0.07 - 6 48 150 ThinPAK8X8
IPP65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-220
IPW65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-247
IPZ65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 7 48 150 TO-247-4
IRFB4212PBF PTH N 60 100 20 5 18 0.0725 15 28 66 175 TO-220AB
MTB070N11J3 SMD N 46 110 20 - 15 0.081 - 39 62 150 TO-252
MTDA0N10J3 SMD N 60 100 20 - 16 0.08 - 15 55 175 TO-252
MTEA0N10J3 SMD N 60 100 20 - 16 0.083 - 15 54 175 TO-252
MTN3820F3 SMD N 56 100 20 - 26 0.064 - 9.5 62.3 150 TO-263
MTN3820J3 SMD N 46 100 20 - 24 0.064 - 9 62.3 150 TO-252
P8010BIS PTH N 46 100 20 - 15 0.085 - 48 68 150 TO-251
PSMN075-100MSE SMD N 65 100 20 4 18 0.071 16.4 5.8 66 175 LFPAK33
SM1A28NSUB PTH N 50 100 30 - 17 0.076 - 5 60 150 TO-251
SM1A30NSU SMD N 50 100 20 - 18 0.07 - 7 60 150 TO-252