Транзистор P9006EDG
P9006EDG - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 122 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P9006EDG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB6601 |
SMD |
P |
62.5 |
60 |
20 |
- |
19 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
175 |
TO-263 |
| CED6601 |
PTH |
P |
43 |
60 |
20 |
- |
16 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
150 |
TO-251 |
| CEF6601 |
PTH |
P |
62.5 |
60 |
20 |
- |
19 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
175 |
TO-220F |
| CEP6601 |
PTH |
P |
62.5 |
60 |
20 |
- |
19 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
175 |
TO-220 |
| CEU6601 |
SMD |
P |
43 |
60 |
20 |
- |
16 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
150 |
TO-252 |
| MTB60P06E3 |
PTH |
P |
50 |
60 |
20 |
- |
20 |
0.057 |
- |
8 |
72 |
150 |
TO-220AB |
| MTP2010J3 |
SMD |
P |
50 |
100 |
20 |
- |
20 |
0.086 |
- |
5 |
91 |
175 |
TO-252 |
| SM1A35PSU |
SMD |
P |
62.5 |
100 |
20 |
- |
18 |
0.09 |
- |
9 |
120 |
150 |
TO-252 |