Транзистор P9006ESG
P9006ESG - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 99 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P9006ESG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB6601 |
SMD |
P |
62.5 |
60 |
20 |
- |
19 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
175 |
TO-263 |
| CEF6601 |
PTH |
P |
62.5 |
60 |
20 |
- |
19 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
175 |
TO-220F |
| CEP6601 |
PTH |
P |
62.5 |
60 |
20 |
- |
19 |
0.086 |
- |
4 |
95 |
175 |
TO-220 |