Транзистор PD506BA
PD506BA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PD506BA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7E8R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0058 |
24 |
9 |
260 |
175 |
I2PAK |
| MTB06N03E3 |
PTH |
N |
94 |
30 |
20 |
- |
102 |
0.0043 |
53 |
16 |
241 |
175 |
TO-220AB |
| QM3006U |
PTH |
N |
53 |
30 |
20 |
2.5 |
78 |
0.0055 |
20.8 |
21.6 |
237 |
175 |
TO-251 |
| SM3016NSU |
SMD |
N |
50 |
30 |
20 |
- |
75 |
0.005 |
- |
11 |
250 |
150 |
TO-252 |