Транзистор PH3855L

PH3855L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.036 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 11.7 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 93 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 125 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PH3855L можно заменить на:

Нет элементов для замены