Транзистор PHB110NQ06LT
PHB110NQ06LT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 123 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 520 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHB110NQ06LT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PHP110NQ06LT |
PTH |
N |
200 |
55 |
15 |
2 |
75 |
0.007 |
- |
123 |
520 |
175 |
TO-220AB |