Транзистор PHB191NQ06LT
PHB191NQ06LT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0037 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 95.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHB191NQ06LT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK954R2-55B |
PTH |
N |
300 |
55 |
15 |
2 |
75 |
0.0037 |
95 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |
| BUK964R2-55B |
SMD |
N |
300 |
55 |
15 |
2 |
75 |
0.0037 |
95 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| PHP191NQ06LT |
PTH |
N |
300 |
55 |
15 |
2 |
75 |
0.0037 |
95.6 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |