Транзистор PHB193NQ06T
PHB193NQ06T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 51 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1054 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHB193NQ06T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK753R8-80E |
PTH |
N |
349 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.004 |
169 |
48 |
840 |
175 |
TO-220AB |
| BUK762R6-60E |
SMD |
N |
324 |
60 |
20 |
4 |
120 |
0.0026 |
140 |
50 |
968 |
175 |
D2PAK |
| BUK763R8-80E |
SMD |
N |
357 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0038 |
169 |
48 |
840 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E4R0-80E |
PTH |
N |
349 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.004 |
169 |
48 |
840 |
175 |
I2PAK |
| PSMN2R6-60PS |
PTH |
N |
326 |
60 |
20 |
4 |
150 |
0.0026 |
140 |
50 |
968 |
175 |
TO-220AB |
| PSMN2R8-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.003 |
135 |
43 |
847 |
175 |
D2PAK |
| PSMN3R0-60BS |
SMD |
N |
306 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.0032 |
110 |
26 |
971 |
175 |
D2PAK |
| PSMN3R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0035 |
104 |
29 |
701 |
175 |
D2PAK |
| PSMN3R3-80ES |
PTH |
N |
338 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0033 |
135 |
43 |
847 |
175 |
I2PAK |
| PSMN3R3-80PS |
PTH |
N |
338 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0033 |
135 |
43 |
847 |
175 |
TO-220AB |
| RU60200R |
PTH |
N |
333 |
60 |
25 |
4 |
230 |
0.0035 |
158 |
38 |
940 |
175 |
TO-220 |
| RU70200R |
PTH |
N |
333 |
70 |
25 |
4 |
200 |
0.004 |
158 |
38 |
940 |
175 |
TO-220 |