Транзистор PHB27NQ10T
PHB27NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 107 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHB27NQ10T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDD3672 |
SMD |
N |
135 |
100 |
20 |
4 |
44 |
0.028 |
24 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| FDP3672 |
PTH |
N |
135 |
105 |
20 |
4 |
41 |
0.033 |
28 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| FDP42AN15A0 |
PTH |
N |
150 |
150 |
20 |
4 |
35 |
0.042 |
30 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| KDB3672 |
SMD |
N |
120 |
100 |
20 |
4 |
44 |
0.028 |
24 |
59 |
247 |
175 |
TO-263 |
| SHD226707 |
PTH |
N |
107 |
100 |
20 |
4 |
30 |
0.049 |
29 |
20 |
- |
175 |
TO-257 |