Транзистор PHB50N06LT
PHB50N06LT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-404
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.024 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 27 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PHB50N06LT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM90N06-16P |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.0165 |
21 |
17 |
184 |
175 |
TO-220AB |
| AM90N06-19B |
SMD |
N |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.019 |
20 |
6 |
- |
175 |
TO-263 |
| CSD18533KCS |
PTH |
N |
192 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0063 |
14 |
4.8 |
300 |
175 |
TO-220 |
| CSD19533KCS |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
3.4 |
86 |
0.0105 |
27 |
5 |
395 |
175 |
TO-220 |
| FDB14AN06L_F085 |
SMD |
N |
125 |
60 |
20 |
- |
67 |
0.0116 |
24 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDD14AN06L_F085 |
SMD |
N |
125 |
60 |
20 |
- |
50 |
0.0116 |
24 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| FDD86110 |
SMD |
N |
127 |
100 |
20 |
4 |
50 |
0.0102 |
25 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| FDD86250 |
SMD |
N |
132 |
150 |
20 |
4 |
50 |
0.022 |
23 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| PHP50N06LT |
PTH |
N |
125 |
55 |
- |
- |
50 |
0.024 |
27 |
- |
- |
150 |
SOT-78 |