Транзистор PHD23NQ10T
PHD23NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 23 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 139 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHD23NQ10T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB416 |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
4 |
45 |
0.036 |
- |
7 |
110 |
175 |
TO-263 |
| AOT416 |
PTH |
N |
150 |
100 |
25 |
4 |
42 |
0.037 |
- |
7.2 |
110 |
175 |
TO-220 |
| PSMN027-100BS |
SMD |
N |
103 |
100 |
20 |
4 |
37 |
0.0268 |
30 |
11.4 |
115 |
175 |
D2PAK |