Справочник электронных компонентов

Транзистор PHD34NQ10T

PHD34NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 136 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 35 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 227 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PHD34NQ10T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB416	SMD	N	150	100	25	4	45	0.036	-	7	110	175	TO-263
AOD4124	SMD	N	150	100	25	4	54	0.021	-	9	164	175	TO-252
AOT416	PTH	N	150	100	25	4	42	0.037	-	7.2	110	175	TO-220
BUK7Y22-100E	SMD	N	147	100	20	4	49	0.022	47	17	225	175	LFPAK56
IRFB4510PBF	PTH	N	140	100	20	4	62	0.0135	58	32	220	175	TO-220AB
IRFR4510PBF	SMD	N	143	100	20	4	56	0.0139	54	42	213	175	TO-252
IRFS4510PBF	SMD	N	140	100	20	4	61	0.0139	58	32	220	175	TO-263
IRFSL4510PBF	PTH	N	140	100	20	4	61	0.0139	58	32	220	175	TO-262
IRFU4510PBF	PTH	N	143	100	20	4	56	0.0139	54	42	213	175	TO-251