Транзистор PHD50N06LT

PHD50N06LT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 13 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PHD50N06LT можно заменить на:

Нет элементов для замены