Транзистор PHD55N03LTA
PHD55N03LTA - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 85 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 340 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHD55N03LTA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PHB55N03LTA |
SMD |
N |
85 |
25 |
15 |
2 |
55 |
0.014 |
- |
45 |
340 |
175 |
D2PAK |