Транзистор PHK31NQ03LT
PHK31NQ03LT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 6.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.15 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0044 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PHK31NQ03LT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PH3330L |
SMD |
N |
62.5 |
30 |
20 |
2.15 |
100 |
0.0033 |
30.5 |
75 |
960 |
150 |
LFPAK |