Транзистор PHK5NQ15T
PHK5NQ15T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 6.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PHK5NQ15T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMC86240 |
SMD |
N |
40 |
150 |
20 |
4 |
16 |
0.051 |
11 |
- |
- |
150 |
Power33 |
| FDPF390N15A |
PTH |
N |
22 |
150 |
20 |
4 |
10 |
0.04 |
14.3 |
- |
- |
150 |
TO-220F |
| PHM18NQ15T |
SMD |
N |
62.5 |
150 |
20 |
4 |
19 |
0.075 |
26.4 |
11 |
187 |
150 |
QLPAK |