Транзистор PHM30NQ10T
PHM30NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: QLPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 62.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 37.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 53.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 430 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PHM30NQ10T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6450 |
SMD |
N |
83 |
100 |
25 |
4 |
52 |
0.0145 |
43 |
5 |
250 |
150 |
DFN5X6 |
| TK22E10N1 |
PTH |
N |
72 |
100 |
20 |
4 |
52 |
0.0138 |
28 |
11 |
310 |
150 |
TO-220 |