Справочник электронных компонентов

Транзистор PHT6NQ10T

PHT6NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор PHT6NQ10T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BUK7Y65-100E SMD N 64 100 20 4 19 0.065 17.8 7.5 99.5 175 LFPAK56
FDB390N15A SMD N 75 150 20 4 19 0.039 14.3 - - 175 TO-263
FDD390N15A SMD N 63 150 20 4 17 0.04 18.6 - - 150 TO-252
FDD86102 SMD N 62 100 20 4 42 0.024 13.4 - - 150 TO-252
FDMC86102 SMD N 41 100 20 4 20 0.024 13 - - 150 Power33
FDMC86240 SMD N 40 150 20 4 16 0.051 11 - - 150 Power33
FDMS86104 SMD N 73 100 20 4 16 0.024 11.7 - - 150 Power56
FDMS86252 SMD N 69 150 20 4 16 0.051 11 - - 150 Power56
FDPF390N15A PTH N 22 150 20 4 10 0.04 14.3 - - 150 TO-220F
NTD6416AN SMD N 54 100 20 4 17 0.073 20 - - 175 DPAK
NVD6416AN SMD N 71 100 20 4 17 0.081 20 22 110 175 DPAK
PHB18NQ10T SMD N 79 100 20 4 18 0.09 21 - - 175 D2PAK
PSMN069-100YS SMD N 56 100 20 4 17 0.0724 14 - - 175 LFPAK
PSMN075-100MSE SMD N 65 100 20 4 18 0.071 16.4 5.8 66 175 LFPAK33
SUU09N10-76P PTH N 32.1 100 20 4 9 0.076 12.7 11 71 150 TO-251
TK7S10N1Z SMD N 50 100 20 4 7 0.048 7.1 4.6 260 175 DPAK