Справочник электронных компонентов

Транзистор PHT8N06LT

PHT8N06LT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 8.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 13 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 11.2 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PHT8N06LT можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN9971B	SMD	N	40	60	20	2	25	0.056	8	12	80	150	TO-252
IRLR024N	SMD	N	38	55	16	2	17	0.065	10	-	-	150	TO-252AA
IRLU024N	PTH	N	38	55	16	2	17	0.065	10	-	-	150	TO-251AA
IRLZ24NS	SMD	N	45	55	16	2	18	0.06	10	-	-	150	D2PAK
NTD18N06L	SMD	N	55	60	15	2	18	0.054	11	-	-	175	DPAK
PHB21N06LT	SMD	N	56	55	15	2	19	0.075	9.4	-	-	150	SOT-404
PHP21N06LT	PTH	N	56	55	15	2	19	0.075	9.4	-	-	150	SOT-78