Транзистор PHU11NQ10T

PHU11NQ10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: IPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57.7 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.9 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PHU11NQ10T можно заменить на:

Нет элементов для замены