Справочник электронных компонентов

Транзистор PHX27NQ11T

PHX27NQ11T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 110 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20.8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 43 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PHX27NQ11T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB65R045C7	SMD	N	227	650	20	4	46	0.045	93	14	70	150	TO-263
IPP60R040C7	PTH	N	227	600	20	4	50	0.04	107	11	85	150	TO-220
IPP65R045C7	PTH	N	227	650	20	4	46	0.045	93	14	70	150	TO-220
IPW60R040C7	PTH	N	227	600	20	4	50	0.04	107	11	85	150	TO-247
IPW65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247
IPW65R045C7	PTH	N	227	650	20	4	46	0.045	93	14	70	150	TO-247
IPZ60R040C7	PTH	N	227	600	20	4	50	0.04	107	8	85	150	TO-247-4
IPZ65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247-4
IPZ65R045C7	PTH	N	227	650	20	4	46	0.045	93	14	70	150	TO-247-4