Транзистор PI5101-00-LGIZ

PI5101-00-LGIZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: ChipFET

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 5 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.8 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.00045 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 65 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5200 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PI5101-00-LGIZ можно заменить на:

Нет элементов для замены