Транзистор PJD2NA60H
PJD2NA60H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJD2NA60H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP02N60H-HF |
SMD |
N |
39 |
600 |
30 |
4 |
1.6 |
8 |
- |
12 |
27 |
150 |
TO-252 |
| AP02N60J-HF |
PTH |
N |
39 |
600 |
30 |
4 |
1.6 |
8 |
- |
12 |
27 |
150 |
TO-251 |
| AP02N60P-HF |
PTH |
N |
39 |
600 |
30 |
4 |
2 |
8 |
- |
12 |
27 |
150 |
TO-220 |
| AP60WN4K5H |
SMD |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
- |
8 |
19 |
150 |
TO-252 |
| AP60WN4K9H |
SMD |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-252 |
| AP60WN4K9J |
PTH |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-251 |
| AP60WN4K9P |
PTH |
N |
31.2 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-220 |
| APQ1HSN60AA |
PTH |
N |
44 |
600 |
30 |
4 |
1.8 |
5.5 |
- |
20 |
20 |
150 |
TO-251 |
| APQ1HSN60AB |
SMD |
N |
44 |
600 |
30 |
4 |
1.8 |
5.5 |
- |
20 |
20 |
150 |
TO-252 |
| CS1N60B3R |
PTH |
N |
32 |
600 |
30 |
4 |
1.5 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-251 |
| PJU2NA60H |
PTH |
N |
31 |
600 |
30 |
4 |
1.4 |
8.5 |
- |
20 |
28 |
150 |
TO-251AB |