Транзистор PJD4NA70
PJD4NA70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 77 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 76 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJD4NA70 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP70WN1K5P |
PTH |
N |
89.2 |
700 |
30 |
4 |
6 |
1.5 |
- |
23 |
45 |
150 |
TO-220 |
| CS5N70A4 |
SMD |
N |
85 |
700 |
30 |
4 |
5 |
2.2 |
18.6 |
11 |
69 |
150 |
TO-252 |
| PJP4NA70 |
PTH |
N |
100 |
700 |
30 |
4 |
4 |
2.8 |
- |
35 |
76 |
150 |
TO-220AB |
| PJU4NA70 |
PTH |
N |
77 |
700 |
30 |
4 |
4 |
2.8 |
- |
35 |
76 |
150 |
TO-251AA |