Транзистор PJD6NA70
PJD6NA70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 128 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 92 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJD6NA70 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PJP6NA70 |
PTH |
N |
142 |
700 |
30 |
4 |
6 |
1.7 |
- |
38 |
92 |
150 |
TO-220AB |
| PJU6NA70 |
PTH |
N |
128 |
700 |
30 |
4 |
6 |
1.7 |
- |
38 |
92 |
150 |
TO-251AA |