Справочник электронных компонентов

Транзистор PJD7NA65

PJD7NA65 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252AA

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 140 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 97 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PJD7NA65 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB11S65	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOB11S65L	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOT11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOT11S65L	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOW11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-262
CDM7-650	SMD	N	140	650	30	4	7	1.5	16.8	28	97	150	DPAK
PJP7NA65	PTH	N	145	650	30	4	7	1.5	-	28	97	150	TO-220AB
PJU7NA65	PTH	N	140	650	30	4	7	1.5	-	28	97	150	TO-251AA
SIHB12N65E	SMD	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-263
SIHP12N65E	PTH	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-220AB