Транзистор PJN1NA50
PJN1NA50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 23 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJN1NA50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP60WN4K5I |
PTH |
N |
24 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
- |
8 |
19 |
150 |
TO-220F |
| AP60WN4K9I |
PTH |
N |
22.7 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
TO-220F |
| APQ0DSN60AJ |
PTH |
N |
3.5 |
600 |
30 |
4 |
0.4 |
8.9 |
- |
15 |
12 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| PJD1NA50 |
SMD |
N |
25 |
500 |
30 |
4 |
1 |
9 |
- |
20 |
23 |
150 |
TO-252 |
| PJU1NA50 |
PTH |
N |
25 |
500 |
30 |
4 |
1 |
9 |
- |
20 |
23 |
150 |
TO-251AB |
| PJW1NA50 |
SMD |
N |
3.3 |
500 |
30 |
4 |
0.3 |
9 |
4.2 |
20 |
23 |
150 |
SOT-223 |