Справочник электронных компонентов

Транзистор PJP10NA65

PJP10NA65 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 74 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PJP10NA65 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN10N65T220T	PTH	N	156	650	30	4	10	1	20	73.67	128.8	150	TO-220
AOB11S65	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOB11S65L	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOB15S65	SMD	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-263
AOB15S65L	SMD	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-263
AOT11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOT11S65L	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOW11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-262
AOW15S65	PTH	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-262
CDM22010-650	PTH	N	156	650	30	4	10	1	20	33	129	150	TO-220
SIHB12N65E	SMD	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-263
SIHP12N65E	PTH	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-220AB