Транзистор PJP13NA50
PJP13NA50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 190 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.52 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJP13NA50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB15S65 |
SMD |
N |
208 |
650 |
30 |
4 |
15 |
0.29 |
- |
24 |
58 |
150 |
TO-263 |
| AOB15S65L |
SMD |
N |
208 |
650 |
30 |
4 |
15 |
0.29 |
- |
24 |
58 |
150 |
TO-263 |
| AOB25S65 |
SMD |
N |
357 |
650 |
30 |
4 |
25 |
0.19 |
- |
30 |
87 |
150 |
TO-263 |
| AOB25S65L |
SMD |
N |
357 |
650 |
30 |
4 |
25 |
0.19 |
- |
30 |
87 |
150 |
TO-263 |
| AOT25S65 |
PTH |
N |
357 |
650 |
30 |
4 |
25 |
0.19 |
- |
30 |
87 |
150 |
TO-220 |
| AOT25S65L |
PTH |
N |
357 |
650 |
30 |
4 |
25 |
0.19 |
- |
30 |
87 |
150 |
TO-220 |
| AOW15S65 |
PTH |
N |
208 |
650 |
30 |
4 |
15 |
0.29 |
- |
24 |
58 |
150 |
TO-262 |
| AOW25S65 |
PTH |
N |
357 |
650 |
30 |
4 |
25 |
0.19 |
- |
30 |
87 |
150 |
TO-262 |
| SIHG22N60E |
PTH |
N |
227 |
600 |
30 |
4 |
21 |
0.18 |
57 |
27 |
90 |
150 |
TO-247AC |