Транзистор PJS50N03
PJS50N03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.057 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.63 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 66 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PJS50N03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMN4338 |
SMD |
N |
1.13 |
30 |
20 |
3 |
4.9 |
0.042 |
4.02 |
2.83 |
33.7 |
150 |
SOP-8 |
| PJA94N03 |
SMD |
N |
0.7 |
30 |
20 |
3 |
2.9 |
0.057 |
12.63 |
19.6 |
66 |
150 |
SOT-23 |