Транзистор PMCM650VNE

PMCM650VNE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: WLCSP6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.556 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 15.4 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 31 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PMCM650VNE можно заменить на:

Нет элементов для замены