Транзистор PMFPB8032XP
PMFPB8032XP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN2020-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.485 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.102 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 63 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMFPB8032XP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3457P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
5 |
0.054 |
4.9 |
11.7 |
38 |
150 |
TSOP-6 |
| PMFPB8040XP |
SMD |
P |
0.485 |
20 |
12 |
1 |
3.7 |
0.102 |
5.7 |
14 |
63 |
150 |
DFN2020-6 |