Транзистор PMPB11EN
PMPB11EN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN2020MD-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0145 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 155 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMPB11EN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17579Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2 |
14 |
0.0097 |
5.4 |
7 |
95 |
150 |
SON5X6 |