Транзистор PMPB20UN
PMPB20UN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN2020MD-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 135 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMPB20UN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM6612N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
9.7 |
0.022 |
4 |
6 |
56 |
150 |
SO-8 |
| AM7330N |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
1 |
11 |
0.022 |
4.1 |
4 |
55 |
150 |
DFN3X3-8L |